新颖的微波器件材料──InGaAs／GaAs异质结构  

作　　者：彭正夫 张允[1] 龚朝阳 高翔[1] 孙娟[1] 吴鹏[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《半导体杂志》1994年第1期52-55,共4页

摘　　要：新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由于ＩｎＧａＡｓ的电子饱和速度比Ｇａ...

关 键 词：微波器件 半导体材料 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]