张允

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发文主题：INGAAS/GAAS半导体材料微波器件微波更多>>
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新颖的微波器件材料──InGaAs／GaAs异质结构
《半导体杂志》1994年第1期52-55,共4页彭正夫 张允 龚朝阳 高翔 孙娟 吴鹏 
新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由...
关键词：微波器件 半导体材料 
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