分子束外延低温生长GaAs缓冲层  

Low Temperature Growth of GaAs Buffer Layer by MBE

作　　者：张允强[1] 彭正夫 高翔[1] 曹苏榕 孙娟[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1992年第4期379-380,共2页Research & Progress of SSE

摘　　要：在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。

关 键 词：分子束外延 生长 砷化镓 缓冲层 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]