真空微电子二极管及微位移传感器的研究  

Study of Microvacuum Diode and Displacement Transducer

作　　者：朱长纯[1] 王海笑[1] 刘君华[1] 关辉[1] 李毓民 

机构地区：[1]西安交通大学,710049 [2]北京电子管厂,100016

出　　处：《光电子技术》1993年第2期40-45,共6页Optoelectronic Technology

基　　金：国家基金委资助项目;国家教委资助项目

摘　　要：首次用电荷模拟法计算了真空微电子二极管及真空微电子微位移传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,进而计算了真空微电子二极管的电流一电压特性和微位移传感器的电流——位移(即阴、阳极间距)的关系曲线。模拟了两种结构的场致发射阴极:圆锥形和劈形。并用测试精度可达4nm 的水槽法模拟实验对计算结果进行了验证,理论计算与实验结果符合地很好。The charge simulation method is employed to compute the field distribution in a novel compact displacement transducer.Both cone-shape and wedge-shape field emitter cathodes are studied.Ⅰ-Ⅴ curve and Ⅰ-Displacement curve are calculated.For comparison, a water trough method is used to find field distribution,arid the result is well in agreement with the calculations.

关 键 词：电荷模拟法 微电子器件 位置传感器 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]