全硅集成光学──理论与工艺（Ⅱ）（续一）──第二讲　1．3～1．6μm硅光探测器  

作　　者：李国正[1] 李道全[1] 赵策洲[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电子工程系,西安电子科技大学历电子所

出　　处：《半导体光电》1994年第2期178-190,共13页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：全硅集成光学──理论与工艺（Ⅱ）（续一）──第二讲１．３～１．６μｍ硅光探测器李国正（副教授）李道全（西安交通大学电子工程系，西安７１００４９）赵策洲（西安电子科技大学历电子所，西安７１００７１）１引言由于本征硅材料的长波吸收极限为１．１μｍ，因此用...

关 键 词：集成光学 全硅集成光学 硅光探测器 

分 类 号：TN25[电子电信—物理电子学]