赵策洲

作品数：35被引量：36H指数：3
导出分析报告
供职机构：西交利物浦大学更多>>
发文主题：电极太阳能电池溶液法突触石墨烯更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《光学学报》《红外与毫米波学报》《西安电子科技大学学报》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
全硅集成光学——理论与工艺(Ⅻ)(续十一)第十一讲 全硅集成光学中的光源(二)
《半导体光电》1997年第1期66-72,共7页赵策洲 
关键词：全硅集成光学 光源 硅基光源 异质结构 
SOI结构M-z型调制器的有限元法分析被引量：1
《电子科学学刊》1997年第1期141-144,共4页赵策洲 刘恩科 李国正 高勇 刘西钉 
国家"863"计划基金
本文提出了采用有限元法分析SOI(Silicon on Insulator)结构M-Z(Mach-Zehnder)干涉型调制器的新方法。该方法在大截面单模SOI脊形波导理论的基础上,根据等离子体色散效应分析了这种调制器的电光调制机理;根据有限元法分析了p^+n结大注...
关键词：集成光学 调制器 有限元法 
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅺ）（续十）
《半导体光电》1996年第4期380-386,共7页赵策洲 
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅺ）（续十）第十一讲　全硅集成光学的光源赵策洲（博士，副教授）（西安电子科技大学，西安７１００７１）１前言全硅集成光学的关键问题之一就是寻找一种高效率的电注入硅光源。硅是一种间接带隙材料，...
关键词：全硅集成光学 光源 讲座 
全硅集成光学——理论与工艺（Ⅹ）（续九）①第十讲干涉型硅波导电光调制开关被引量：2
《半导体光电》1996年第3期280-291,共12页赵策洲 高勇 
全硅集成光学——理论与工艺（Ⅹ）（续九）①第十讲干涉型硅波导电光调制开关赵策洲（博士，副教授）高勇②（西安电子科技大学，西安７１００７１）中图法分类号：ＴＮ２５１引言无间距定向耦合调制开关利用了最大的模色散（Δβ），...
关键词：集成光学 硅 波导 电光调制开关 
硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究被引量：1
《红外与毫米波学报》1996年第3期221-223,共3页赵策洲 朱作云 李跃进 刘恩科 李国正 刘西钉 
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法在硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测出１．３μｍ...
关键词：GaAsAl MOCVD 光波导 砷化镓 
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅸ）（续八）
《半导体光电》1996年第2期173-185,共13页赵策洲 刘育梁 
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅸ）（续八）第九讲全内反射型硅波导电光调制开关赵策洲，（博士，副教授）刘育梁（博士后）（西安电子科技大学，西安７１００７１）１引言在集成光学中，电光调制器和光开关是最基本的有源器件之一，它...
关键词：全硅集成光学 硅波导 电光调制器 
硅1．3～1．6μm电光强度调制器探索被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第4期279-282,共4页赵策洲 刘育梁 李国正 刘恩科 高勇 
本文采用等离子体色散效应和大注入效应，通过ＥＰＷ各向异性腐蚀的方法，在外延硅芯片上刻蚀出脊形单波导，并采用纵向Ｐ＋ｎ结结构，对硅１．３～１．６μｍ电光强度调制器进行了初步研究，在注入电流密度为１．７×１０４Ａ／ｃｍ村...
关键词：电光强度调制器 硅 调制器 
用于光纤通信的新型BOA电光开关结构的设计
《通信学报》1996年第3期119-124,共6页赵策洲 刘恩科 李国正 刘志敏 
本文提出了一种新型的ＢＯＡ（ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）型电光开关结构。该结构采用了低传输耗损的ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）材料和高注入效率的电学注入方法。本文根据双模干涉机理...
关键词：光开关 电光开关结构 光纤通信 
BESOI光波导的研制
《光子学报》1996年第3期252-255,共4页李国正 赵策洲 郑玉祥 刘恩科 
863计划基金
本文通过大量实验,采用键合及背腐蚀方法研制成功 SOI 光波导,传输损耗仅0.85dB/cm.
关键词：集成光学 SOI 光波导 
Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制被引量：1
《红外与毫米波学报》1996年第1期33-37,共5页高勇 李国正 刘恩科 赵策洲 刘西钉 张翔九 卢学坤 王迅 
国家自然科学基金
在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于...
关键词：光波导 定向耦合器 硅锗材料 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部