高勇

作品数：12被引量：12H指数：2
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GeSi调制器与探测器单片光电集成被引量：1
《半导体光电》1997年第3期175-178,共4页李娜 高勇 李国正 刘恩科 
国家自然科学资金
文章以ＧｅＳｉ材料为基础，从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性。分析结果表明，三者之间的光集成在理论上是可行的。
关键词：集成光学 波导 调制器 探测器 单片光电集成 
SOI结构M-z型调制器的有限元法分析被引量：1
《电子科学学刊》1997年第1期141-144,共4页赵策洲 刘恩科 李国正 高勇 刘西钉 
国家"863"计划基金
本文提出了采用有限元法分析SOI(Silicon on Insulator)结构M-Z(Mach-Zehnder)干涉型调制器的新方法。该方法在大截面单模SOI脊形波导理论的基础上,根据等离子体色散效应分析了这种调制器的电光调制机理;根据有限元法分析了p^+n结大注...
关键词：集成光学 调制器 有限元法 
Ge_xSi_(1-x)电光调制器与探测器的集成
《固体电子学研究与进展》1997年第1期87-91,共5页李国正 高勇 刘恩科 
在Ge_xSi_1-x电光调制器和探测器已经问世的基础上，提出了一种将它们集成起来的结构，通过原理和工艺技术的分析，认为这种光电集成是完全可以实现的。
关键词：光电集成电路 电光调制器 探测器 硅化锗 
p－GeSi／n＋－Si异质结电光调制器
《半导体光电》1996年第3期234-237,共4页李国正 高勇 刘恩科 
国家自然科学基金
文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减小调制电流和提高调制频率。
关键词：半导体器件 调制器 异质结 硅 锗 
Ge_xSi_（1－_x）等离子体色散效应及电光调制器被引量：1
《半导体光电》1996年第2期154-157,共4页李国正 (副教授)高勇 刘西钉 刘恩科 
国家自然科学基金
在研究了Ｓｉ的等离子体色散效应之后，我们预计ＧｅｘＳｉ１－ｘ也会有这一效应。理论分析和实践的结果都表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ具有比Ｓｉ更强的等离子体色散效应。
关键词：电光器件 电光调制器 硅 锗 等离子体色散 
Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制被引量：1
《红外与毫米波学报》1996年第1期33-37,共5页高勇 李国正 刘恩科 赵策洲 刘西钉 张翔九 卢学坤 王迅 
国家自然科学基金
在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于...
关键词：光波导 定向耦合器 硅锗材料 
高温对Ge_xSi_(1-x)/Si光波导及材料的影响
《固体电子学研究与进展》1996年第1期34-37,共4页李国正 高勇 刘恩科 
国家自然科学基金
用ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ亚稳材料在高温下制作了光波导，它的传输损耗为０．８ｄＢ／ｃｍ，比低温工艺的０．５ｄＢ／ｃｍ稍大。并发现ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ材料的大量失配位错和一些有趣的现象。
关键词：位错 光波导 硅化锗 
SOI定向耦合器研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第12期928-931,共4页赵策洲 李国正 刘恩科 刘西钉 高勇 
国家"863"基金;国家教委博士点基金
本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ定向耦合器，在波长为１．３μｍ时，其平均插入损耗为４．８ｄＢ，平均串音小于－...
关键词：定向耦合器 SOI 耦合器 
Ge_xSi_（1－x）／Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第9期663-668,共6页赵策洲 刘恩科 高勇 
本文提出了一种简便可行的ＧｅｘＳｉ（１－ｘ）／Ｓｉ异质结无间距定向耦合光开关（ＢＯＡ型──—ＢｉｆｕｒｃａｔｉｏｎＯｐｔｉｑｕｅＡｃｔｉｖｅ）模型分析方法．该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理：采...
关键词：光开关 模型分析 设计 硅化锗 硅 异质结 
锗硅合金脊形光波导的优化分析与设计被引量：5
《光学学报》1995年第12期1707-1711,共5页高勇 李国正 刘恩科 刘西钉 
国家自然科学基金
根据脊形光波导的基本设计要求，分析了锗硅合金脊形波导的结构参数对其光传播特性的影响，并优化设计了结构参数，其合理性得到了实验验证。
关键词：锗硅合金 脊形 光波导 优化设计 
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