GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质  

作　　者：张福甲[1] 虎志明 

机构地区：[1]兰州大学物理系

出　　处：《半导体光电》1994年第3期232-236,共5页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：用变分法分别计算了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振予强度和交换能的影响。

关 键 词：量子阱 激子 纵向外电场 砷化镓 ALXGA1-XAS 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]