云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ALXGA1-XAS

ALXGA1-XAS: 作品数：13被引量：14H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：王履芳涂洁磊陈庭金毛宇兰天更多>>; 相关机构：内蒙古大学云南师范大学北京工业大学兰州大学更多>>; 相关期刊：《电子器件》《南京师大学报（自然科学版）》《半导体杂志》《Communications in Theoretical Physics》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划兵器预研支撑基金西安工业大学校长基金更多>>

AlxGa1-xAs材料结构与物理特性的第一性原理研究被引量：1: 《人工晶体学报》2020年第5期824-832,共9页宋娟丁召张振东郭祥魏节敏王继红罗子江王一; 国家自然科学基金(61564002,11664005,61604046);贵州省科学技术基金(黔科合基础[2017]1055)。; 基于密度泛函理论,对Al组分由0~1变化时AlxGa1-xAs体系的晶体结构、差分电荷密度、光电性质以及热力学性质进行第一性原理计算。得到AlxGa1-xAs体系的晶格常数a与Al组分x之间呈线性增加关系。能带结构图显示其禁带宽度将随掺入Al组分x...; 关键词：第一性原理晶格常数电子结构光学性质热力学性质

垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的实验研究被引量：4: 《发光学报》2018年第12期1714-1721,共8页李颖周广正兰天王智勇; 国家自然科学青年基金(61505003)资助项目~~; 在湿法氧化过程中采用一种自制的新型红外光源显微镜和CCD相机俯视成像系统监测被氧化晶圆片上氧化标记点颜色的变化,通过CCD相机得到的氧化标记点尺寸大小与实际氧化标记点尺寸大小的比例计算,由氧化标记点变化颜色的尺寸大小获得实际...; 关键词：垂直腔面发射激光器 ALXGA1-XAS 湿法氧化氧化规律

Comparative study on the influence of AI component at GaAIAs layer for GaAs/A1GaAs photocathode被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2017年第8期16-21,共6页Yuan Xu Benkang Chang Xinlong Chen Yunsheng Qian; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.91433108,61301023); We designed two transmission-mode GaAs/AIGaAs photocathodes with different AlxGa1-xAs layers, one has an AlxGal-xAs layer with the Al component ranging from 0.9 to 0, and the other has a fixed AI component 0.7. Using ...; 关键词：AlxGa1-xAs layer variable A1 component GaAs/AlGaAs photocathode quantum efficiency

势垒高度对GaAs/Al_xGa_(1-x)As QWIP光谱特性的影响（英文）被引量：2: 《红外与激光工程》2015年第10期2995-2999,共5页胡小英刘卫国段存丽蔡长龙牛小玲; 兵器预研基金项目(62201070821);总装光电专用(40405030104);陕西省重点实验室开放基金(ZSKJ201301);西安工业大学校长开放基金(XAGDXJJ1401);重点院长基金(13GDYJZ01); 为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同Ga As/AlxGa1-xAs QWIP样品,采用傅里叶光谱仪对样品进行77 K液氮温度光谱测试。结果显示1#,2#样品峰值响应波长与据薛...; 关键词：量子阱红外探测器高分辨透射扫描电镜 Ga As/AlxGa1-xAs 峰值波长

掺杂浓度和温度对δ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs双量子阱系统电子态结构和子带间光学吸收系数的影响: 《南京师大学报（自然科学版）》2015年第2期23-29,共7页杨双波赵恒飞; 在有效质量近似下,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了在温度不为零时δ掺杂的AlxGa1-x As/Ga As双量子阱系统的电子态结构.研究了温度和掺杂浓度对双量子阱系统子带能级、费米能量、及子带间线性光学吸收系数的影响.研究发现,系...; 关键词：AlxGa1-xAs/Ga As双量子阱掺杂浓度子带间线性光学吸收系数

磁场下有限厚势垒GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱中杂质态结合能: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2013年第4期376-381,共6页张雪枫班士良; 国家自然科学基金资助项目(No.61274098); 利用变分法讨论势垒厚度对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚、杂质位置和磁场强度的变化关系,并与无限深势阱量子阱和无限厚势垒量子阱两种情形的结果进行了比较.结...; 关键词：有限厚势垒 GAAS AlxGa1-xAs量子阱杂质态结合能磁场

Al_xGa_(1-x)As材料低Al组分PL测试技术的研究: 《激光与红外》2013年第8期928-931,共4页许秀娟巩锋折伟林宋淑芳周翠; 采用激光显微光致发光(PL)光谱仪测试了低Al组分AlxGa1-xAs的室温显微光致发光谱,研究了光致发光测试方法的特点,结合文献中报道的低Al组分的经验计算公式,自主开发了能进行光谱数据处理和Al组分计算的VB应用程序,目前已进入实用化。结...; 关键词：ALXGA1-XAS AL组分光致发光

Properties of Excitons Bound to Neutral Donors in GaAs-AlxGa1-xAs Quantum-Well Wires: 《Communications in Theoretical Physics》2006年第5期945-949,共5页DI Bing LIU Jian-Jua; The project supported by National Natural Science Foundation of China under Grant No. 10574036, and the Natural Science Foundation of Hebei Province of China under Grant No. A2004000140; In the effective-mass approximation, using a simple two-parameter wave function and a one-dimensional （ID） equivalent potential model, we calculate variationally the binding energy of an exciton bound to a neutral d...; 关键词：quantum-well wires excitons bound to a neutral donor binding energy

Al_xGa_(1-x)As选择性湿法氧化技术的研究被引量：4: 《红外与激光工程》2003年第6期647-650,共4页黄静郭霞渠红伟廉鹏董立闽朱文军杜金玉邹德恕沈光地; 国家973计划资助项目(G20000683 3); 详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8μm...; 关键词：垂直腔面发射激光器 ALXGA1-XAS 氧化

Al＿xGa＿（1－x）A＿s和GaA＿s材料的物理参数模型: 《电子器件》1995年第1期36-45,共10页曾峥吴文刚罗晋生; 本文较系统和全面地总结了ＧａＡ＿ｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａ＿ｓ重掺杂能带窄变...; 关键词：ALXGA1-XAS 砷化镓物理参数模型

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