吴文刚

作品数：4被引量：1H指数：0
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供职机构：西安交通大学更多>>
发文主题：双极晶体管数值模拟锗硅合金异质结HBT更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《电子器件》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金更多>>
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AlGaAs／GaAs　HBT表面效应的二维数值分析
《固体电子学研究与进展》1995年第4期319-325,共7页曾峥 吴文刚 罗晋生 
国家教委博士点的基金
采用表面效应集总模型综合考虑表面费米能级钉扎和表面复合效应，对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ表面效应的影响进行了二维数值模拟。结果表明，表面态的存在对集电极电流几乎不产生影响，但显著增加基极电流，使得电流增益明显下降。...
关键词：表面效应 数值模拟 双极晶体管 异质结 
应变致能带分裂对Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响
《固体电子学研究与进展》1995年第2期110-117,共8页吴文刚 曾峥 罗晋生 
国家教委博士点基金
针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致能带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了多子双带结构的等价有效简并度模型和有关算法。模型中考虑了非抛物线能带结构。应用该模型，计算了赝形生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的...
关键词：锗硅合金 应变 重掺杂 能带结构 
Al＿xGa＿（1－x）A＿s和GaA＿s材料的物理参数模型
《电子器件》1995年第1期36-45,共10页曾峥 吴文刚 罗晋生 
本文较系统和全面地总结了ＧａＡ＿ｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料的物理参数模型，包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等，给出了易于应用的数学公式，其中Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａ＿ｓ重掺杂能带窄变...
关键词：ALXGA1-XAS 砷化镓 物理 参数 模型 
基区非均匀掺杂对　AlGaAs／GaAs　HBT　电学特性影响的数值分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第12期850-857,共8页曾峥 吴文刚 罗晋生 
国家教委博士点基金
基于异质结漂移－扩散模型，考虑Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计和重掺杂能带窄变（ＢＧＮ）效应，对具有非均匀掺杂基区的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ进行了数值模拟．结果表明，当基区非均匀程度较大时，非均匀掺杂引起的基区自建场远...
关键词：双极晶体管 电学特性 非均匀 掺杂 数值分析 
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