新型功率器件MCT的研究  

作　　者：唐国洪[1] 陈德英[1] 周健[1] 

机构地区：[1]东南大学

出　　处：《半导体技术》1994年第1期5-8,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ￣２的阳极电流。

关 键 词：MCT 晶闸管 功率器件 参数设计 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]