等离子过程引起的Si－SiO_2结构损伤评估  

作　　者：马宏 涂继云 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司中央研究所

出　　处：《半导体技术》1994年第2期42-45,50,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ＿２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。

关 键 词：等离子过程 SI-SIO2 结构损伤 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]