SI-SIO2

作品数：9被引量：11H指数：2
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相关机构：中国科学院河北理工大学中国电子科技集团公司第十八研究所中国华晶电子集团公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《核技术》《Circuits and Systems》《微电子学与计算机》更多>>
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Optimization of a Si-SiO2 Waveguide Coupler for Photonic Integrated Circuits
《Circuits and Systems》2018年第7期101-106,共6页Yike Wang 
In this paper, we demonstrated a compact Si-SiO2 waveguide coupler with a footprint of only 2 μm × 3 μm by topology optimization in the communication wavelength. The transmission was increased from 30% to 100%, muc...
关键词：PHOTONIC Integrated CIRCUITS TOPOLOGICAL OPTIMIZATION Waveguide COUPLER 
Investigation of Photonic Band Gap in Si-Based One-Dimensional Photonic Crystal
《Optics and Photonics Journal》2013年第8期365-368,共4页Kulandaisamy S. Joseph Wilson Vasan Revathy 
A one-dimensional silicon based photonic crystal with nonlinear defect layers is examined. The linear and nonlinear optical properties are analyzed. The transmission spectrum was obtained by applying the optical trans...
关键词：PHOTONIC BAND GAP 1D PHOTONIC CRYSTAL SI-SIO2 TRANSMITTANCE 
强脉冲X射线辐照在Si-SiO_2中感生的界面态及退火消除被引量：1
《强激光与粒子束》2002年第4期521-525,共5页杨志安 靳涛 李英俊 姚育娟 罗尹虹 
国家自然科学基金资助的课题 ( 6 986 6 0 0 1)
利用强脉冲 X射线对 Si- Si O2 界面进行了辐照 ,测量了界面态曲线和退火曲线。实验显示 :经过强脉冲 X射线对 Si- Si O2 界面进行的辐照 ,在 Si- Si O2 界面感生出新的界面态 ,感生界面态的增加与辐照剂量成正比 ,并且易出现饱和现象...
关键词：强脉冲X射线辐照 SI-SIO2 退火 强辐射场 界面态 半导体材料 MOS器件 
Radiation-induced plasmons in St-SiO_2
《Nuclear Science and Techniques》1999年第1期1-4,共4页LIU ChangShi (Xinjiang Petroleum Collage, Urnmqi 830000) 
Beijing Zhongguancun Associated Center of Analysis and Measurement
The first level plasmons of Si in the pure Si state （corresponding to bonding energy （BE） of 116.95 eV） and in the SiO2 state （corresponding to BE of 122.0 eV） of Si-SiO2 prepared by irradiation hard and soft pr...
关键词：SI-SIO2 辐照感生质粒基因组 辐照剂量 
等离子过程引起的Si－SiO_2结构损伤评估被引量：1
《半导体技术》1994年第2期42-45,50,共5页马宏 涂继云 
本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ＿２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。
关键词：等离子过程 SI-SIO2 结构损伤 
用XPS研究^(60)Co对抗辐射加固和非加固Si-SiO_2的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》1993年第3期255-260,共6页刘昶时 赵元富 
对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO_2系统进行了^(60)Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO_2在硅的二氧化硅态和过渡态,氧的剩余氧态和负二价氧态的XPS谱上具有较大差异;其中非加固样品的XPS谱与辐照条件具有强...
关键词：XPS 辐射加固 非加固 SI-SIO2 CO 
电离辐照Si-SiO_2的电子能谱深度剖析被引量：5
《核技术》1990年第10期589-593,共5页刘昶时 吾勤之 张玲珊 
中国科学院青年奖励基金
应用灵敏的电子能谱分析技术,对经电离辐射辐照的Si-SiO_2结构进行深度剖析。实验结果表明:存在于Si-SiO_2中的界面区,在电离辐射的作用下向SiO_2表面方向展宽,界面中心向SiO_2表面方向移动。展宽与偏移的程度与辐照条件紧密相关。文中...
关键词：SI-SIO2 XPS AES 电离 辐照 
等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响
《半导体技术》1990年第4期45-46,共2页蔡跃明 吕世骥 
本文研究了等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响。结果表明,Si-SiO_2结构经等离子体氢处理后,其界面特性变差。
关键词：SI-SIO2 等离子体氢 结构 
电离辐照与界面态被引量：3
《微电子学与计算机》1989年第12期11-15,共5页宋钦岐 
本文详细介绍电离辐照在Si—SiO_2界面产生的界面态。通过对铝栅和硅栅MOS器件辐照产生的界面态与时间和偏压之关系的研究,发现存在三种类型的界面态,即缓慢建立的、快速建立的和瞬时建立的界面态,并用已经报道的模型对这些界面态产生...
关键词：电离辐照 界面态 MOS器件 SI-SIO2 
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