张玲珊

作品数：5被引量：8H指数：1
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供职机构：中国科学院新疆物理研究所更多>>
发文主题：电离辐照XPS电离MOS器件界面态更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》《核技术》更多>>
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电离辐照Si-SiO_2的电子能谱深度剖析被引量：5
《核技术》1990年第10期589-593,共5页刘昶时 吾勤之 张玲珊 
中国科学院青年奖励基金
应用灵敏的电子能谱分析技术,对经电离辐射辐照的Si-SiO_2结构进行深度剖析。实验结果表明:存在于Si-SiO_2中的界面区,在电离辐射的作用下向SiO_2表面方向展宽,界面中心向SiO_2表面方向移动。展宽与偏移的程度与辐照条件紧密相关。文中...
关键词：SI-SIO2 XPS AES 电离 辐照 
CCD电离辐射加固工艺研究被引量：1
《核电子学与探测技术》1990年第4期193-199,共7页李杰 王缙 董亮初 严荣良 余学锋 张玲珊 陆妩 米拉提汗 
国家自然科学基金
本文以简单的MOS电容为手段,研究CCD工艺,以提高器件的抗电离辐射能力。研究发现,栅氧化温度、SiO_2栅介质厚度和CCD工艺中栅氧化以后的高温过程对辐照性能的影响最大;并提出减薄SiO_2栅介质厚度、在1000℃干氧栅氧化、表面栅和埋栅下Si...
关键词：电荷 耦合器 电离 辐射 NOS电容 
不同偏置条件下Si—SiO_2界面电离辐照的XPS研究被引量：1
《微电子学与计算机》1989年第12期5-7,共3页刘昶时 吾勤之 张玲珊 
中国科学院青年奖励基金
应用灵敏的表面分析技术XPS(x射线光电子能谱)对不同偏置条件下γ射线辐照的Si-SiO_2界面进行断层分析表明,SiO_2态下硅的2p结合能信号强度随辐照剂量的增加而减少,谱峰半宽则增加;且在正偏电场下辐照样品的信号强度明显低于未辐照样品...
关键词：MOS器件 Si-SiO3界面 电离辐射 XPS 
硅棚MOS结构的辐射感生界面态被引量：1
《微电子学与计算机》1989年第12期7-11,共5页张玲珊 吾勤之 刘昶时 王方 赵元富 甘勇 
中科院青年奖励基金
本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?...
关键词：MOS器件 辐射 硅栅器件 界面态 
MOS电离辐照感生Si-SiO_2界面态及其密度的能级分布
《核技术》1989年第4期201-204,共4页吾勤之 刘昶时 张玲珊 寒梅 王方 柳博 赵元富 
中国科学院青年奖励基金
本文主要讨论n(100)硅栅MOS样品在^(60)Coγ射线辐照下,氧化层电荷ΔD_(ot)、Si-SiO_2界面态密度ΔD_(tt)和界面态密度的能级分布。实验证明,辐照效应与偏置电场密切相关,在+1MV/cm偏置电场辐照时,出现氧化层电荷和界面态密度峰值,禁带...
关键词：氧化层 电荷 界面态 密度 辐照偏置 
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