王方

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MOS电离辐照感生Si-SiO_2界面态及其密度的能级分布
《核技术》1989年第4期201-204,共4页吾勤之 刘昶时 张玲珊 寒梅 王方 柳博 赵元富 
中国科学院青年奖励基金
本文主要讨论n(100)硅栅MOS样品在^(60)Coγ射线辐照下,氧化层电荷ΔD_(ot)、Si-SiO_2界面态密度ΔD_(tt)和界面态密度的能级分布。实验证明,辐照效应与偏置电场密切相关,在+1MV/cm偏置电场辐照时,出现氧化层电荷和界面态密度峰值,禁带...
关键词：氧化层 电荷 界面态 密度 辐照偏置 
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