硅栅器件

作品数:6被引量:3H指数:1
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Al:Ti合金栅a-Si TFT研究被引量:1
《Journal of Semiconductors》1997年第10期771-775,共5页熊绍珍 赵颖 王宗畔 谷纯芝 王丽莉 李俊峰 周祯华 代永平 姚伦 
国家自然科学基金;天津市青年基金!(69577011)
本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a-SiTFT中的应用.所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6.6μΩ·cm,与纯铝的相近.Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强,有效地抑制了小丘(Hillock)的产生和阳极氧化时的被腐...
关键词:半导体 铝钛合金栅 硅栅器件 α-硅 TFT 
硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究
《半导体技术》1997年第4期22-25,共4页赵元富 
详细研究了硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能,分析了不同辐射偏置下,N沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧NMOS器件辐射性能的影响。结果表明:电离辐射引起的电路场氧隔离失效主...
关键词:场氧 电离辐射 硅栅器件 CMOS 集成电路 
WSi_2栅和Si栅CMOS/BESOI的高温特性分析被引量:1
《固体电子学研究与进展》1996年第4期348-351,共4页竺士炀 林成鲁 高剑侠 李金华 
用厚膜BESOI(BondingandEtch-backSilicon-On-Insulator)制备了WSi2栅和Si栅4007CMOS电路,在室温~200℃的不同温度下测量了其P沟、N沟MOSFET的亚阈特性曲线...
关键词:高温特性 BESOI CMOS 硅栅器件 
先栅氧后场氧化MOS工艺研究
《微电子技术》1996年第3期31-34,共4页刘显明 
常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化。在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素,使栅氧化层质量难于提高。本研究从根本上改变这种流程,利用抗场氧化的Si3N4和一次氧化层直接作MOS管的栅介质层,可明显改善栅介质层质量,简...
关键词:场氧化 栅氧化 MOS工艺 硅栅器件 
3μmSi栅CMOS产品PCM测试方法分析及测试程序开发
《微电子技术》1996年第1期57-70,共14页桑莉莎 雷淼 
本文介绍了一种分布在划片槽内的PCM结构的测试方法。使用美国Keithley公司的S425参数测试系统,以3μmSi栅CMOS产品为研究对象,建立了一套全新的PCM测试方法并开发成功了完整的测试程序。阐述了在半导体MOS生产线监控中的应用前景及...
关键词:CMOS PCM 测试 硅栅器件 
硅棚MOS结构的辐射感生界面态被引量:1
《微电子学与计算机》1989年第12期7-11,共5页张玲珊 吾勤之 刘昶时 王方 赵元富 甘勇 
中科院青年奖励基金
本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?...
关键词:MOS器件 辐射 硅栅器件 界面态 
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