硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究  

作　　者：赵元富[1] 

机构地区：[1]西安微电子技术研究所

出　　处：《半导体技术》1997年第4期22-25,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射偏置下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响。结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主要来自于电离辐射引起的场区边缘寄生漏电，提出了分析场区边缘寄生漏电对器件辐射性能影响的等效电路。

关 键 词：场氧 电离辐射 硅栅器件 CMOS 集成电路 

分 类 号：TN386.4[电子电信—物理电子学] TN432.07