高剑侠

作品数：19被引量：27H指数：2
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供职机构：中国科学院上海原子核研究所上海应用物理研究所更多>>
发文主题：总剂量辐照电离辐射PMOSFETSIMOX辐照更多>>
发文领域：电子电信理学航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《核技术》《微电子学与计算机》《电子元件与材料》《微电子学》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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注F^+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究被引量：1
《电子元件与材料》2002年第2期28-29,共2页武光明 朱江 高剑侠 
向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co g 辐射器辐照并测量材料的I-V特性。结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能。而且,注入F+的剂量为11015cm2时,...
关键词：CMOS/SOI材料 抗辐射 加固 二氧化硅埋层掺杂 
不同工艺制备的铁电薄膜底电极Pt/Ti被引量：5
《稀有金属材料与工程》1999年第5期305-309,共5页宋志棠 曾建明 高剑侠 张苗 林成鲁 
国家"863"!715-002-0110;国家自然科学基金!6973020
采用高真空电子束蒸发与直流溅射在SiO2／Si基底上制备Pt／Ti底电极，对Pt／Ti在不同热处理温度下的结构与形貌进行对比研究。结果表明：由于采用不同的制备工艺，Pt晶粒在成核与生长方式上有所不同，导致了Pt薄膜在结构与形貌的差异。...
关键词：薄膜 织构 底电极 铁电薄膜 铂 
含F栅介质的Fowler-Nordheim效应被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第8期615-619,共5页张国强 严荣良 余学锋 高剑侠 任迪远 
本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了讨论．
关键词：大规模集成电路 栅介质 F-N效应 测试 
Pt/PZT/Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应被引量：2
《功能材料与器件学报》1998年第4期286-290,共5页高剑侠 郑立荣 王连卫 林成鲁 朱德彰 
国家"863"新材料领域项目
研究了γ辐照积累剂量对ＰＺＴ铁电电容的电滞回线和ＣＶ特性的影响，结果表明，在积累剂量辐照过程中，由于辐照感生缺陷的影响，剩余极化和矫顽场增加，介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论，提出了剩余极化随积累...
关键词：铁电 辐照 剩余极化 介电常数 矫顽场 
SOI高温电路——突破硅集成电路的高温应用限制被引量：2
《微细加工技术》1998年第4期36-42,共7页多新中 张苗 高剑侠 王连卫 林成鲁 
常规的体硅基础电路通常只能工作在２００℃以下，ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎ－ｓｕｌａｔｏｒ）电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求，并分析了ＳＯＩ电路在高温下的电学特性，讨论了为将Ｓ...
关键词：SOI电路 体硅电路 硅集成电路 
P沟MOSFET/FIPOS的γ射线总剂量辐照特性
《核技术》1998年第1期43-47,共5页竺士炀 黄宜平 高剑侠 
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术制备了高质量的ＳＯＩ材料。研究了在该材料上采用２μｍＣＭＯＳ工艺制备的不同沟道长度的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏγ射线总剂量辐照特性，表明经５ｋＧｙ（Ｓｉ）辐照后，器件仍有特性，但...
关键词：SOI材料 PMOSFET 总剂量辐照 Γ射线 CMOS 
GaAs　MESFET在抗辐射领域的应用被引量：1
《微电子学》1997年第2期107-114,共8页高剑侠 林成鲁 严荣良 
详细论述了多种辐照源辐射ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件和电路产生的ＳＥＵ（单粒子翻转）效应，辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子束等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生ＳＥＵ的过程和机制。研究表明：１）在低温生长ＧａＡｓ阻挡层...
关键词：MESFET 辐射加固 SEU 砷化镓 
注氟SIMOX隐埋SiO_2的辐照感生电荷分布特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》1996年第9期693-697,共5页竺士炀 林成鲁 高剑侠 李金华 
对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减...
关键词：注氟 SIMOX 二氧化硅 感生电荷分布 半导体材料 
WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》1996年第4期348-351,共4页竺士炀 林成鲁 高剑侠 李金华 
用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线...
关键词：高温特性 BESOI CMOS 硅栅器件 
CMOS／SIMOX和CMOS／BESOI的γ射线辐照特性比较
《固体电子学研究与进展》1996年第3期277-283,共7页竺士炀 林成鲁 李金华 高剑侠 
用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，...
关键词：SIMOX BESOI CMOS 总剂量辐照 Γ射线 
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