WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析  

Analysis of High Temperature Property of WSi_2 Gate and Si Gate CMOS/BESOI

作　　者：竺士炀[1] 林成鲁 高剑侠[1] 李金华 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所,信息功能材料国家重点实验室,中国科学院新疆物理研究所,江苏石油化工学院功能材料实验室

出　　处：《固体电子学研究与进展》1996年第4期348-351,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。CMOS circuits with WSi2 gate or St gate were fabricated on thick film BESOI(Bonding and Etch-back Silicon-On-Insulator) materials. Their p-and N-channel MOSFET's subthreshold characteristic curves were measured. The temperature dependence of the threshold voltage and leakage current were analyzed.

关 键 词：高温特性 BESOI CMOS 硅栅器件 

分 类 号：TN386.4[电子电信—物理电子学]