SOI高温电路——突破硅集成电路的高温应用限制  

SOI HIGH TEMPERATURE CIRCULTS ——SURMOUNT THE LIMITATION OF SI INTEGRATED CIRCUITS IN HIGH TEMPERATURE APPLICATION

作　　者：多新中[1] 张苗 高剑侠[1] 王连卫[1] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料实验室

出　　处：《微细加工技术》1998年第4期36-42,共7页Microfabrication Technology

摘　　要：常规的体硅基础电路通常只能工作在２００℃以下，ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎ－ｓｕｌａｔｏｒ）电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求，并分析了ＳＯＩ电路在高温下的电学特性，讨论了为将ＳＯＩ高温电路商业化，应当解决的一些技术问题。Ordinary bulk silicon circuits can work only below 200℃. ButSOI circuits can work in the higher temperature.In this paper,the market's demande for high temperature circuits is breifly described and the characteristics of SOI circuits in high temperature are analyzed.The technical problems which must be solved for commercializing the SOI circuits are also discussed.

关 键 词：SOI电路 体硅电路 硅集成电路 

分 类 号：TN430.6[电子电信—微电子学与固体电子学]