含F栅介质的Fowler-Nordheim效应  

Fowler Nordheim High Field Stress in Fluorinated Gate Dielectrics

作　　者：张国强[1] 严荣良[1] 余学锋[1] 高剑侠[1] 任迪远[1] 

机构地区：[1]中国科学院新疆物理研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1998年第8期615-619,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了讨论．Abstract We have set an automatic measurement and analysis system used for the study of hot carrier damage in MOS capacitors. The characteristics of Fowler Nordheim high field stress in fluorinated gate oxides have been investigated by means of high frequency and quasi static C V techniques. The hot electron damage can be restrained by introducing F ions into gate oxides.

关 键 词：大规模集成电路 栅介质 F-N效应 测试 

分 类 号：TN470.7[电子电信—微电子学与固体电子学]