3μmSi栅CMOS产品PCM测试方法分析及测试程序开发  

作　　者：桑莉莎 雷淼 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司MOS一厂PCM组,无锡214061

出　　处：《微电子技术》1996年第1期57-70,共14页Microelectronic Technology

摘　　要：本文介绍了一种分布在划片槽内的PCM结构的测试方法。使用美国Keithley公司的S425参数测试系统，以3μmSi栅CMOS产品为研究对象，建立了一套全新的PCM测试方法并开发成功了完整的测试程序。阐述了在半导体MOS生产线监控中的应用前景及由此带来的经济效益。

关 键 词：CMOS PCM 测试 硅栅器件 

分 类 号：TN386.407[电子电信—物理电子学]