先栅氧后场氧化MOS工艺研究  

作　　者：刘显明 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司中央研究所,无锡214035

出　　处：《微电子技术》1996年第3期31-34,共4页Microelectronic Technology

摘　　要：常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化。在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素，使栅氧化层质量难于提高。本研究从根本上改变这种流程，利用抗场氧化的Si3N4和一次氧化层直接作MOS管的栅介质层，可明显改善栅介质层质量，简化工艺，提高成品率，统来很好的经济效益，经过十多年的反复应用试验，证明该工艺确实可行。

关 键 词：场氧化 栅氧化 MOS工艺 硅栅器件 

分 类 号：TN386.4[电子电信—物理电子学] TN432.05