半导体硅特性显微FTIR测量技术研究  

作　　者：李光平[1] 汝琼娜[1] 李静[1] 何秀坤[1] 

机构地区：[1]天津电子部第四十六研究所

出　　处：《半导体技术》1994年第3期43-45,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：本文针对大规模集成电路应用需要，采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量，硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术，在光孔尺寸为１００×１００μｍ级时，测量精度达到国标的要求，空间分辨率提高了近两个数量级。

关 键 词：半导体材料 硅 测量 显微镜 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]