PECVDSi_3N_4钝化工艺的正交优化  

作　　者：李惠军[1] 

机构地区：[1]山东工业大学电子工程系

出　　处：《半导体技术》1994年第3期21-23,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：以正文优化试验对ＰＥＣＶＤ工艺进行了最佳淀积条件的优化选择实验，经对最佳条件下所淀积的Ｓｉ＿３Ｎ＿４介质膜进行的科学而严格的光谱、理化特性测定证实了膜体质量是优良的，并在工艺生产中应用获得了十分满意的结果。

关 键 词：表面钝化 化学汽相沉积 工艺 

分 类 号：TN405.986[电子电信—微电子学与固体电子学]