GaAs／AlGaAs　多量子阱红外探测器材料研究  

Study of GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Infrared Detector Material

作　　者：杜全钢 钟战天[1] 周小川 牟善明 徐贵昌[1] 蒋健 段海龙 王昌衡 

机构地区：[1]中国科学院表面物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》1994年第2期98-102,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长出了大面积（２英寸）均匀（厚度△ｔ＿ｍａｘ／≤３％，组分△　ｘ＿ｍａｘ／ｘ≤３．４％，掺杂浓度△ｎｍａｘ／ｎ≤３％，椭圆缺陷≤３００ｃｍ－２）的外延材料．分析了暗电流的成因，通过加厚势垒（Ｌｂ≥３００）、控制掺杂（ｎ≤１×１０￣１８ｃｍ￣３）、精确设计子带结构，将暗电流降低了几个数量级，同时使电子的输运得到了改善．由此得到了高质量的多量子阶红外探测器材料．Abstract This paper describes the growth and performance of GaAs/AIGaAs MoWinfrared detector material. The material was grown by molecular best epitaxy(MBE) with large area(Φ2 inches), good uniformity (thickness △t/t≤3 %, com position △xmax/x≤3.4 %, doping concerntration △nmax/n≤3%). By increasing thethickness of tile barriers, controlling dopiDg collcerntration and exactly designing thesubband, the dark current has been reduced dramatically by several orders of magni and thereby significantly increased the detectivity and eased the transportationof the excited electrons.

关 键 词：红外探测器 GAAS/ALGAAS 量子阱 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]