高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质  

Growth and Transport Property of Si/Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si p-Type Modulation Doped Double Heterostructure

作　　者：江若琏[1] 刘建林[1] 李海峰[2,3] 郑厚植[2,3] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系 [2]半导体超晶格国家重点实验室 [3]中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1994年第7期501-504,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家攀登计划;国家八六三高技术计划资助

摘　　要：采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６×１０１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１×１０１３ｃｍ－２）．Abstract St/Si0.7Ge0.3/Si p-type Modulation Doped Double Heterostructures have been grown by RRH/VLP-CVD (Rapid Radiant Heating/Very Low Pressure-CVD). The transport property is investigated. Hole Hall mobilities as high as 300cm2/V·s (300K) and 8400cm2/V·s(77K) have been obtained. These are the highest values reported so far.

关 键 词：掺杂 异质结 迁移率 硅 SIGE 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]