李海峰

作品数：5被引量：1H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：非晶硅太阳能电池能量转换效率掺杂变现更多>>
发文领域：电气工程电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家攀登计划国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质
《Journal of Semiconductors》1994年第7期501-504,共4页江若琏 刘建林 李海峰 郑厚植 郑有炓 
国家攀登计划;国家八六三高技术计划资助
采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层...
关键词：掺杂 异质结 迁移率 硅 SIGE 
非晶硅太阳电池光照J—V曲线反常拐弯现象的研究
《Journal of Semiconductors》1993年第6期337-344,共8页熊华 廖显伯 郑怀德 李海峰 刁宏伟 
本文研究了非晶硅(a-Si:H)pin型太阳电池光照J-V特性的反常拐弯现象,发现这种拐弯可以区分为两种类型,它们分别与出现在p界面或n界面上的空穴势垒相联系。并且,以多步隧道复合模型为基础,进行了模拟计算,得到了与实验数据相符合的结果。
关键词：非晶硅 太阳能电池 拐变现象 光照 
nμc-Si:H/SiO_x/Ag隧道背面接触对a-Si:H太阳能电池性能的影响
《Journal of Semiconductors》1991年第11期705-708,共4页李海峰 熊华 刁宏伟 郑怀德 廖显伯 
国家自然科学基金
本文研究了用 nμc-Si:H/SiO_x/Ag结构取代 nμc-Si:H/Ag结构对 a-Si:H pin型单结太阳能电池光伏参数的影响,观测到这种电池的填充因子和短路电流有所改善,文中对这些参数改善的机制作出了解释.
关键词：非晶硅 太阳能电池 光伏 参数 
小面积高效率非晶硅单结太阳能电池
《Journal of Semiconductors》1991年第10期644-647,共4页廖显伯 郑怀德 李海峰 刁宏伟 熊华 孔光临 
本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面进一步的研究成果.我们在透明SnO_2电极与 p a-SiC_π:H层之间增加了一层高掺杂的超薄接触层(CL),用 MIS背面隧道接触取代MS接触,使单结非晶硅电池的能量转换效率在1cm^2面积上达到11.19％(AM1.5...
关键词：非晶硅 单结 太阳能电池 
能量转换效率达10.2%的非晶硅单结太阳能电池被引量：1
《Journal of Semiconductors》1990年第6期478-480,共3页廖显伯 熊华 李海峰 刁宏伟 郑怀德 
本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面的研究结果。电池采用的结构为Glass/SnO_2/Pin/Ag,其能量转换效率在1cm^2面积上达到10.2％(AM1.5,100mW/cm^2),在0.126cm^2面积上达到11.1％。
关键词：非晶硅 太阳能电池 单结 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部