nμc-Si:H/SiO_x/Ag隧道背面接触对a-Si:H太阳能电池性能的影响  

Effects of tunneling back contact of n μc-Si:H/SiO_x/Ag on Performances of a-Si:H Solar Cells

作　　者：李海峰[1] 熊华[1] 刁宏伟[1] 郑怀德[1] 廖显伯[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第11期705-708,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文研究了用 nμc-Si:H/SiO_x/Ag结构取代 nμc-Si:H/Ag结构对 a-Si:H pin型单结太阳能电池光伏参数的影响,观测到这种电池的填充因子和短路电流有所改善,文中对这些参数改善的机制作出了解释.The effects of using n μc-Si:H/SiO_x/Ag (a MIS structure) instead of n μc-Si:H/Ag (a msstructure) as the back contact in a-Si:H pin s ngle junction solar cells on the photovoltaicparameters have been investigated.The short cilcuit current and fill factor of the solar cell areimproved, and the reasons for the improvements are discussed.

关 键 词：非晶硅 太阳能电池 光伏 参数 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]