小面积高效率非晶硅单结太阳能电池  

High Efficiency Single Junction a-Si:H Solar Cells with an area of 1.0cm^2

作　　者：廖显伯[1] 郑怀德[1] 李海峰[1] 刁宏伟[1] 熊华[1] 孔光临[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1991年第10期644-647,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面进一步的研究成果.我们在透明SnO_2电极与 p a-SiC_π:H层之间增加了一层高掺杂的超薄接触层(CL),用 MIS背面隧道接触取代MS接触,使单结非晶硅电池的能量转换效率在1cm^2面积上达到11.19％(AM1.5,100mW/cm^1).This paper reports the new results in improving energy conversion efficiencies of a-Si:Hsolar cells. Owing to introducing an ultrathin contact layer heavily doped between the SnO_2and the p a SiCx:H layers, and utilizing an MIS tunnelling rear contact instead of an MScontact, the conversion efficiency of a-Si:H single junction solar cells has been increased to11.19% on an area of 1.0cm^2 (AM1.5, 100mW/cm^2).

关 键 词：非晶硅 单结 太阳能电池 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]