热处理改善未掺杂LEC　GaAs中EL2分布均匀性的机理研究  

作　　者：李光平[1] 杨瑞霞[1] 

机构地区：[1]电子部四十六所,河北工学院

出　　处：《半导体杂志》1994年第2期12-14,共3页

摘　　要：本文以热处理方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２径向分分布变化规律，着重研究了不同的热处理后冷却方式对ＥＬ２分布均匀性改善程度的影响，讨论了ＬＥＣＧａＨｓ中ＥＬ２分布不均匀性的起源及热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理．

关 键 词：砷化铵 热处理 EL2 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]