激光辐照GaAs膜和GaAs多量子阱反射光强的观测  

Observation on Photoreflectance of GaAs Film and GaAs Multiquantum Well under Laser Irradiation

作　　者：王德煌 王威礼[1] 刘剑[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学系,中国科学院半导体研究所

出　　处：《北京大学学报（自然科学版）》1994年第5期579-582,共4页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis

摘　　要：实验观测了Ｈｅ－Ｎｅ激光辐照不掺杂ＧａＡｓ膜和ＧａＡｓ多量子阱的反射光强，对比研究了实验的结果。The experimental results and compared studying on photoreflectance in undoped GaAs film and GaAs multiquantum well under He-Ne laser irradiation are reported.

关 键 词：量子阱 激光辐照 砷化镓 膜 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]