SiN：H薄膜ECR—PCVD的就地监测  

作　　者：留文 

出　　处：《等离子体应用技术快报》1994年第8期4-5,共2页

关 键 词：ECR 等离子体 化学相沉积 氮化硅 薄膜 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]