MOS控制晶闸管(MCT)的设计  

The Design of MOS-controlled Thyristor

作　　者：冯玉春[1] 刘玉书 

机构地区：[1]西安电力电子技术研究所 [2]临潼七七一所

出　　处：《电力电子技术》1994年第1期55-57,共3页Power Electronics

摘　　要：讨论了MCT的结构设计及耐压设计.通过对结构参数的最佳化选择,制造出开关电流9A,耐压900V的MCT芯片.n沟MOS阈值电压为2V,p沟MOS阈值电压为-5V.当门极加-7V电压时,其关断电流密度为220A/cm^2.The geometries and the junction terminal technology of MOS controlled thyristors are analysed. 9A,900V MCT die has been fabricated through the optimum design. The threshold voltages of n-MOSFET and p-MOSFET are 2V and 5V respectively. It can be turned off with current density of 220A/cm at a gate bias of 7V.

关 键 词：MOS控制 晶闸管 设计 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]