MOS控制

作品数：28被引量：19H指数：2
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低导通压降MOS控制晶闸管的研制
《半导体技术》2023年第6期476-481,487,共7页刘中梦雪 黄伟 刘垚 张海峰 段懿晨 丁继洪 赵建强 
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行...
关键词：MOS控制晶闸管(MCT) 导通压降 正向阻断电压 p基区 静态特性 
基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性被引量：9
《含能材料》2019年第5期417-425,I0006,共10页覃新 朱朋 徐聪 杨智 张秋 沈瑞琪 
江苏省自然科学基金资助(BK20151486)
为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm(H)的CDU...
关键词：金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管 电容放电单元 爆炸箔起爆器 硼/硝酸钾(BPN)点火药 
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化被引量：2
《半导体技术》2018年第4期274-279,320,共7页胡飞 宋李梅 韩郑生 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0901801)
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析...
关键词：MOS控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关 开启瞬态 上升时间 
MOS控制的晶闸管的结构、原理和应用
《UPS应用》2015年第2期54-58,共5页曲学基 
MOS控制的晶闸管（Mos Controlled Thyristor，MGT）是将MOSFET与晶阐管组合而成的复合型器件。MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。文中中介了MCT的结构、原理和应用。
关键词：MOS控制 晶闸管 结构 应用 原理 MOSFET 载流密度 通态压降 
WiSpry公司成功研制用于无线通讯的MEMS调谐数字电容
《微纳电子技术》2008年第3期184-184,共1页
Fabless半导体公司WiSpry旨在研发用于无线工业的低成本、高性能RFMEMS调谐组件和模块。该公司已推出MEMS调谐数字电容系列产品。该系列产品把低功耗CMOS控制和电压发生器逻辑与调谐RFMEMS数字电容阵列相结合，为客户提供一个超线性、...
关键词：MEMS 无线通讯 电容 调谐 半导体公司 电压发生器 MOS控制 低成本 
10A/500V MCT器件的研制被引量：1
《世界电子元器件》2003年第9期36-37,42,共3页张发生 陈治明 
本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法。西安徽电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品。测试结果表明,其在20V的栅压下能在4μs内关断50A/cm^2的阴极电流。
关键词：MOS控制晶闸管 功率器件 结构设计 工艺流程 工作原理 电学参数设置 
新型功率器件MCT关断模型的研究
《电源技术应用》2003年第9期39-42,共4页邹祖冰 蔡丽娟 
介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构,工作原理详细地探讨了MCT在关断情况下的建模,采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系。
关键词：MOS控制晶闸管 状态空间分析法 可关断最大电流 
功率集成光激MOS控制交流多路开关模拟设计
《西安理工大学学报》2002年第2期151-153,共3页张华曹 段飞 
介绍了一种新型功率集成光激 MOS控制多路开关 ,它由双向晶闸管、MOS器件、光电器件组成。此开关通过光电转换来实现强电与弱电之间的隔离 ;可工作在交流状态 ,其通态压降低 ,约在 1 .5～ 3 V之间 ;并对其阻断特性、电流特性、开关特性...
关键词：光激 MOS控制 双向晶闸管 多路开关 功率集成电路 
MOS控制晶闸管的最大可关断电流被引量：2
《西安电子科技大学学报》2000年第2期133-137,共5页张鹤鸣 戴显英 林大松 王伟 解勇 
军事电子预研基金资助项目
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟...
关键词：MOS控制 晶闸管 最大可关断电流 
具有双n^+发射区的MCT
《西安理工大学学报》1999年第4期39-41,55,共4页周宝霞 陈治明 
提出一种新型的ＭＯＳ控制晶闸管结构ＤＮＭＣＴ器件。该器件同ＭＣＴ相比减弱了寄生ＪＦＥＴ效应， 并利用ＰＩＳＣＥＳ－ＩＩＢ器件模拟软件验证ＤＮＭＣＴ具有较好的正向导通电流－电压特性。该结构在一定程度上可缓解器件开关速度...
关键词：发射极 MOS控制晶闸管 功率半导体管件 MCT 
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