10A/500V MCT器件的研制  

The Development of 10A/500V MCT Device

作　　者：张发生[1] 陈治明[2] 

机构地区：[1]中南林学院电子信息工程学院 [2]西安理工大学自动化学院

出　　处：《世界电子元器件》2003年第9期36-37,42,共3页Global Electronics China

摘　　要：本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法。西安徽电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品。测试结果表明,其在20V的栅压下能在4μs内关断50A/cm^2的阴极电流。

关 键 词：MOS控制晶闸管 功率器件 结构设计 工艺流程 工作原理 电学参数设置 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]