MOS控制晶闸管

作品数：16被引量：19H指数：2
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低导通压降MOS控制晶闸管的研制
《半导体技术》2023年第6期476-481,487,共7页刘中梦雪 黄伟 刘垚 张海峰 段懿晨 丁继洪 赵建强 
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行...
关键词：MOS控制晶闸管(MCT) 导通压降 正向阻断电压 p基区 静态特性 
基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性被引量：9
《含能材料》2019年第5期417-425,I0006,共10页覃新 朱朋 徐聪 杨智 张秋 沈瑞琪 
江苏省自然科学基金资助(BK20151486)
为了研究国产金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管(Metal?Oxide?Semiconductor controlled thyristor,MCT)与高压陶瓷电容组成的电容放电单元(Capacitor Discharge Unit,CDU)的放电特性,设计制备出体积为40 mm(L)×25 mm(W)×8 mm(H)的CDU...
关键词：金属氧化物半导体(MOS)控制晶闸管 电容放电单元 爆炸箔起爆器 硼/硝酸钾(BPN)点火药 
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化被引量：2
《半导体技术》2018年第4期274-279,320,共7页胡飞 宋李梅 韩郑生 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0901801)
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析...
关键词：MOS控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关 开启瞬态 上升时间 
新型功率器件MCT关断模型的研究
《电源技术应用》2003年第9期39-42,共4页邹祖冰 蔡丽娟 
介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构,工作原理详细地探讨了MCT在关断情况下的建模,采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系。
关键词：MOS控制晶闸管 状态空间分析法 可关断最大电流 
10A/500V MCT器件的研制被引量：1
《世界电子元器件》2003年第9期36-37,42,共3页张发生 陈治明 
本文叙述了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺流程及实施方法。西安徽电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品。测试结果表明,其在20V的栅压下能在4μs内关断50A/cm^2的阴极电流。
关键词：MOS控制晶闸管 功率器件 结构设计 工艺流程 工作原理 电学参数设置 
MOS控制晶闸管的最大可关断电流被引量：2
《西安电子科技大学学报》2000年第2期133-137,共5页张鹤鸣 戴显英 林大松 王伟 解勇 
军事电子预研基金资助项目
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟...
关键词：MOS控制 晶闸管 最大可关断电流 
具有双n^+发射区的MCT
《西安理工大学学报》1999年第4期39-41,55,共4页周宝霞 陈治明 
提出一种新型的ＭＯＳ控制晶闸管结构ＤＮＭＣＴ器件。该器件同ＭＣＴ相比减弱了寄生ＪＦＥＴ效应， 并利用ＰＩＳＣＥＳ－ＩＩＢ器件模拟软件验证ＤＮＭＣＴ具有较好的正向导通电流－电压特性。该结构在一定程度上可缓解器件开关速度...
关键词：发射极 MOS控制晶闸管 功率半导体管件 MCT 
MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究被引量：3
《电子学报》1996年第5期63-66,共4页李学宁 唐茂成 李肇基 李原 刘玉书 
国家自然科学基金
本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本...
关键词：三重扩散 MOS控制晶闸管 工艺 场效应器件 
电力半导体器件的现状及发展趋势被引量：1
《半导体技术》1996年第4期33-39,共7页陈烨 吴济钧 
叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功...
关键词：电力半导体器件 集成电路 MOS控制晶闸管 
MOS控制晶闸管（MCT）的特性、驱动及应用被引量：2
《电力电子技术》1995年第2期73-81,共9页俞苹 
ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）的特性、驱动及应用Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，ＤｒｉｖｅａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＭＣＴ￥／／西安电力电子技术研究所俞苹１国内外ＭＣＴ研制发展现状本刊１９９０年第四期曾介绍过ＭＣ...
关键词：MOS 晶闸管 应用 
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