MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究  

The Investigation of Triple Diffusion Process for MOS-Controlled Thyristor

作　　者：李学宁[1] 唐茂成[1] 李肇基[1] 李原 刘玉书 

机构地区：[1]成都电子科技大学微电子所,骊山微电子研究所

出　　处：《电子学报》1996年第5期63-66,共4页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。The key fabricating process of MCT-the triple diffusion is investigated. The process conditions are obtained by process simulator SUPREM-Ⅲ. The measurement results of spreading resistance,bevel and sheet resistance indicate that optimum design and fabrication are fulfilled. The new structure of DOFMCT with turn off capability of 134A/cm2 is designed and fabricated successfully ,

关 键 词：三重扩散 MOS控制晶闸管 工艺 场效应器件 

分 类 号：TN342.054[电子电信—物理电子学]