周宝霞

作品数：8被引量：18H指数：3
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供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院更多>>
发文主题：MCTPSPICEMOS控制晶闸管功率MOSFET更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电力电子技术》《西安理工大学学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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具有双n^+发射区的MCT
《西安理工大学学报》1999年第4期39-41,55,共4页周宝霞 陈治明 
提出一种新型的ＭＯＳ控制晶闸管结构ＤＮＭＣＴ器件。该器件同ＭＣＴ相比减弱了寄生ＪＦＥＴ效应， 并利用ＰＩＳＣＥＳ－ＩＩＢ器件模拟软件验证ＤＮＭＣＴ具有较好的正向导通电流－电压特性。该结构在一定程度上可缓解器件开关速度...
关键词：发射极 MOS控制晶闸管 功率半导体管件 MCT 
分布数据管理的一种并发控制算法
《西安理工大学学报》1998年第1期84-88,共5页严开涛 周宝霞 
提出一种用于分布数据管理的基于锁定的并发控制算法。该算法对冲突处理无需在全部分布站点程序调度器间进行通讯，仅需在冲突初始站点和所有参予站点间进行信息交换；又由于在冲突发生时通过使用时间戳来建立一个执行顺序，从而避免死...
关键词：并发控制 事务 各序调度 数据库 分布数据管理 
MCT特性的PSPICE模拟
《西安理工大学学报》1997年第4期378-380,共3页周宝霞 陈治明 夏蔚 
通过使用等效电路法，利用国际通用电路模拟软件包PSPICE对新型的电力电子器件MCT进行特性模拟和分析，并对Harris公司的器件MCTV75P60E1进行计算。结果表明该方法简单易行，模拟结果可靠。
关键词：PSPICE MOS控制 晶闸管 MCT 等效电路 特性模拟 
大功率复合器件的 PSPICE 模拟被引量：5
《电力电子技术》1997年第3期85-87,共3页周宝霞 陈治明 周如培 
在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟软件中，采用简单易行的等效电路模拟法，建立了改进型等效电路模型，实现了对功率开关器件特性的模拟。通过与实验结果比较，证实了改进模型的可靠性。
关键词：金属-氧化物 场效应晶体管 晶体管 
新型功率器件MCT的模拟与制造
《西安理工大学学报》1997年第1期1-5,共5页周如培 周宝霞 陈治明 
国家"八五"重点科技攻关项目
介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件，模拟MCT的静态、动态特性，优化了MCT的结构参数。根据工艺模拟结果，编制MCT的制造工艺流程，研制出2．7A／5OOV的样片，其开通时间为200ns，关断时间为4...
关键词：功率器件 MOS控制 晶闸管 模拟 MCT CAD 工艺 
功率MOSFET反向特性的分析模拟被引量：5
《Journal of Semiconductors》1997年第1期32-35,共4页周宝霞 陈治明 王守觉 
本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟，着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用，并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析，提出了改善措施，并得到了与实际相符合的结论．
关键词：功率MOSFET 场效应器件 反向特性 
用全扩散法制作MCT
《Journal of Semiconductors》1996年第9期664-666,共3页张发生 周如培 周宝霞 陈治明 
国家"八五"重大攻关项目;国家计委的资助
使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了...
关键词：全扩散法 MOS控制 晶闸管 硅片 MCT 
适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路被引量：8
《Journal of Semiconductors》1996年第4期289-293,共5页周宝霞 陈治明 王守觉 
建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的...
关键词：功率MOSFET PSPICE 电路模拟软件 
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