功率MOSFET反向特性的分析模拟  

Simulation for Reverse Characteristics of Power MOSFET

作　　者：周宝霞[1] 陈治明[1] 王守觉[2] 

机构地区：[1]西安理工大学,西安710048 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第1期32-35,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟，着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用，并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析，提出了改善措施，并得到了与实际相符合的结论．The reverse characteristics of power MOSFET was simulated. The unique characteristics of the N-channel power MOSFET was analyzed and the improved simulation about the errors of calculation for body diode in P-channel MOSFET because of the model parameter limit was presented. The results exactly fit to the measured value.

关 键 词：功率MOSFET 场效应器件 反向特性 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]