新型功率器件MCT的模拟与制造  

Simulation and Fabrication of a New Power Device MCT

作　　者：周如培[1] 周宝霞[1] 陈治明[1] 

机构地区：[1]西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048

出　　处：《西安理工大学学报》1997年第1期1-5,共5页Journal of Xi'an University of Technology

基　　金：国家"八五"重点科技攻关项目

摘　　要：介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件，模拟MCT的静态、动态特性，优化了MCT的结构参数。根据工艺模拟结果，编制MCT的制造工艺流程，研制出2．7A／5OOV的样片，其开通时间为200ns，关断时间为4μs。篢he advantages and structure of a new power device-M0S-controlled thyristor(MCT) are introduced. A programme of CAD for MCT is developed, which can simulate thestatic and transient properties of MCT and optimize the parameters of the structure. Accordingto the simulated results the technological process is designed and a prototype of 2. 7 A / 50O VMCT is fabricated, its turn-on time being 2OO ns, the turn-off time 4μs.

关 键 词：功率器件 MOS控制 晶闸管 模拟 MCT CAD 工艺 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]