适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路  

A Precise Equivalent Circuit of Power MOSFET for PSPICE Simulation

作　　者：周宝霞[1] 陈治明[1] 王守觉[1] 

机构地区：[1]西安理工大学自动化工程系,中国科学院半导体研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1996年第4期289-293,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的精确性．Abstract A new model is established to make more precise simulation of power MOSFET in use of PSPICE circuit simulation software.The application results for all kinds of HEXFET devices have a very good agreement with the cooresponding curves in IR databook.

关 键 词：功率MOSFET PSPICE 电路模拟软件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]