MOS控制晶闸管的最大可关断电流  

Maximum controllable current of the MOS controlled thyristor

作　　者：张鹤鸣[1] 戴显英[1] 林大松 王伟[1] 解勇 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071

出　　处：《西安电子科技大学学报》2000年第2期133-137,共5页Journal of Xidian University

基　　金：军事电子预研基金资助项目

摘　　要：建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 .在该关系式中 ,关断电流只与晶闸管中耦合晶体管的电流放大系数及晶闸管射极短路电流有关 .另外 ,基于MOS控制晶闸管的仿真模型 ,模拟分析了最大可关断电流与它们间的关系 .解析与模拟分析结果符合较好 .结果表明 ,耦合晶体管电流放大系数及晶闸管射极短路电流的设计决定了器件的最大可关断电流 .The analytical expression for the maximum controllable current in MCT is established and it is only related to the emitter shorted current and current gain in coupled transistors, which is also simulated based on the MCT model. The comparisons of the analytical expression with simulation results are made, which shows that they are in good agreement. It is shown that the maximum controllable current depends on the design of the current gain and emitter shorted current.

关 键 词：MOS控制 晶闸管 最大可关断电流 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]