MOS控制的晶闸管的结构、原理和应用  

作　　者：曲学基[1] 

机构地区：[1]中国空间技术研究院

出　　处：《UPS应用》2015年第2期54-58,共5页UPS Applications

摘　　要：MOS控制的晶闸管（Mos Controlled Thyristor，MGT）是将MOSFET与晶阐管组合而成的复合型器件。MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。文中中介了MCT的结构、原理和应用。

关 键 词：MOS控制 晶闸管 结构 应用 原理 MOSFET 载流密度 通态压降 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学]