静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究  

Theoretical Study of Operation Mechanism of Static Induction Transistor

作　　者：李思渊[1] 孙卓[1] 刘肃[1] 

机构地区：[1]兰州大学

出　　处：《电力电子技术》1994年第2期34-38,共5页Power Electronics

摘　　要：对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关.An analytical model of SIT based on an explicit approximate solution of 2-D Poisson's equation provides an analytical description of its 1-V characteristic over the full range of normally en-counted biasing condition. The high-current analysis reveals that the unsaturated I-V characteristic is correlated closely to the space-charge limited effect.

关 键 词：静电感应 晶体管 工作模式 

分 类 号：TN320.1[电子电信—物理电子学]