用氮、氢混合气体保护烧结半导体外壳的工艺探讨  

作　　者：朱奇农[1] 张弓[1] 马莒生[1] 唐祥云[1] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系

出　　处：《电子工艺技术》1994年第2期6-7,共2页Electronics Process Technology

摘　　要：提出了对可伐合金的引线及管基进行预氧化处理，然后在氮、氢混合气体保护下烧结半导体外壳的新方法，并利用正文实验的办法确定了最佳工艺条件。从而提高了外壳的气密性，降低了引线沿玻璃上爬的高度，为消除引线的延迟性断裂创造了条件。

关 键 词：半导体外壳 混合气体 氮 氢 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]