氮化硅晶须显微结构的研究  

Microstructure of Si_3N_4 Whiskers

作　　者：周延春[1] 常昕[1] 周敬[1] 陈声崎[1] 夏非[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所

出　　处：《电子显微学报》1994年第2期90-94,共5页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：利用透射电子显微镜对气固相法制备的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的显微结构进行了研究。实验发现α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须具有何（１０１０），（１０１１）和［０００１］三个生长方向，并且α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须中有大量的生长缺陷。而β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的生长方向只有（１０１０）一个，且几乎观察不到任何缺陷。The microstructure of both α-Si_3N_4 and β-Si_3N_4 Whiskers prepared by Vapour-Solid reaction was investi-gated by using transmission electron microscope. It was found that the growth directions for α-Si_3N_4 whiskers were(1010),(1011)and [0001],furthermore a large amount of faults were observed in α-Si_3N_4 Whiskers.The growth direction for β-Si_3N_4 whiskers was only{1010} and almost no defects were observed inβ-Si_3N_4 Whiskers.

关 键 词：晶须 显微结构 缺陷 氮化硅 电子显微镜 

分 类 号：O784[理学—晶体学] O613.72