新结构的硅一体化微加速度传感器  

A New silicon Unitized Micro-Acceleration Sensors

作　　者：王跃林[1] 徐义刚[1] 陈锋 胡鑫松 

机构地区：[1]浙江大学信电系

出　　处：《电子学报》1994年第8期36-40,共5页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家重点自然科学基金;霍英东青年教师基金

摘　　要：本文介绍了一种新结构的硅一体化微加速度传感器，理论和实验结果表明，这种传感器与传统硅微机械结构加速度传感器相比具有温度特性好、工艺简单和成品率高等优点。这种结构特别适合制作谐振传感器。A new silicon unitized micro-acceleration sensor is presented in this paper. Both analysis and experiment show that it has many advantages over the conventional structure,such as good temperature characteristics,simple process technique,high yield and so on. The structure is most suitable for manufacturing resonant sensors.

关 键 词：硅 微机械结构 加速度 传感器 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]