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作 者:祝进田[1] 李玉东[1] 胡礼中[1] 陈松岩[1] 胡朝辉[1] 刘式墉[1]
机构地区:[1]集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与技术研究所
出 处:《光子学报》1994年第3期273-277,共5页Acta Photonica Sinica
摘 要:本文首次报导了生长温度为550℃,以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机物气相沉积(LFMOCVD〕技术,高质量1.62um和1.3umInGaAsP及In0.57Ga0.43As0.98P0.04/In0.73Ga0.27As0.6P0.4量子阶结构的生长,并给出了1.55umGaAsP/InP分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件,激光器于室温下脉冲激射,其阈值电流密度为2.4kA/cm2。This paper reports the growth of high quality 1.62μm and 1.3μm InGaAsP and In0.57Ga0-43As0.96P0. 04/In0.73Ga0.27As0. 6 P0. 4 quantum well structure, which using Tri methylidium(TMIn)and Trimethylgallium(TMGa) as group Ⅲ sourses with Low-pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition(Lp-MOCVD)technique at 550℃.The 1.55um InGaAsP/InP separated confinement strained.layer quantum well laser was fabricated The threshold current density of the laser is 2.4kA/cm2 under pulsed operation at room temperature.
分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学]
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