李玉东

作品数：17被引量：2H指数：1
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多量子阱结构的MOVPE生长
《厦门大学学报（自然科学版）》1997年第3期359-363,共5页陈松岩 陈龙海 黄美纯 刘宝林 洪火国 李玉东 王本忠 刘式墉 
福建省青年重点基金
利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。
关键词：多量子阱 气相沉积 MOVPE 光电器件 半导体 
对撞锁模半导体超短光脉冲的产生
《科学通报》1996年第19期1811-1814,共4页孙洪波 胡礼中 李玉东 苏士昌 刘式墉 
锁模（mode-locking）技术是1964年发展起来的。利用这种技术,尤其是对撞锁模CPM（colliding-pulse mode-locking）可以产生皮秒(10-12s)甚至飞秒(10-15s)量级的超短脉冲,这对于物理化学以及分子弛豫过程的超高速现象的研究具有决定性...
关键词：超短光脉冲 对撞锁模 半导体 锁模 激光器 
GaAs－InP异质材料的结构特性和光学特性研究被引量：1
《光子学报》1996年第2期140-146,共7页陈松岩 李玉东 孙洪波 王本忠 刘式墉 张玉贤 
我们在低压金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出ＧａＡｓ－ＩｎＰ材料，并对此进行了Ｘ－射线衍射、低温光致发光谱（ＰＬ）和Ｒａｍａｎ谱分析，结果表明，ＧａＡｓ...
关键词：GaAs-InP导质材料 X-射线衍射 低温光致发光谱 RAMAN谱 
InGaAsP分别限制量子阱激光器
《光子学报》1996年第2期160-164,共5页陈松岩 李玉东 孙洪波 胡礼忠 刘式墉 
长波长ＩｎＧａＡｓＰ量子阱激光器，以其低阈值、窄光谱线宽和高的调制频带宽等优良特性而成为大容量通信的基础。为此，我们利用低压ＭＯＶＣＤ技术生长了１．６２μｍ和１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ材料，测得其７７Ｋ光荧光（ＰＬ）...
关键词：分别限制量子阶激光器 低压金属有机气相沉积 质子轰击 
超高频38.5GHz半导体碰撞锁模皮秒光脉冲的产生
《科学通报》1996年第3期288-288,共1页孙洪波 胡礼中 李玉东 刘式墉 
半导体超短光脉冲在长波长时分复用光纤通讯,超快数据处理,电光采样系统具有广泛应.常用的半导体短光脉冲产生方式有:增益开关技术、Q开关技术、锁模技术等.无论从理论上还是实践上,重复频率最高,宽度最窄的脉冲都是由锁模技术得到的....
关键词：半导体 超短光脉冲 锁模 碰撞锁模效应 
半绝缘InP（Fe）的低温氯化物VPE生长
《高技术通讯》1995年第11期41-44,共4页孙洪波 李玉东 陈松岩 胡礼中 刘式墉 
863计划资助项目
介绍了一种半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）的低温氯化物气相外延（ＶＰＥ）生长方法，生长温度为５５０℃，可为金属有机气相淀积的量子阱结构二次外延半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）盖层。４０μｍ层厚时电阻率超过５×１０８Ωｃｍ，临界击穿电压达到１...
关键词：半绝缘层 氯化物 低温 磷化铟 量子阱结构 
1．52μmInGaAsP／InP分别限制量子阱激光器
《高技术通讯》1995年第10期35-37,共3页陈松岩 李玉东 刘式墉 张玉贤 
863计划资助项目
报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０μｍ和１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子讲结构生长的...
关键词：量子肼激光器 阈值电流 激光器 
GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
《高技术通讯》1995年第3期1-3,共3页陈松岩 李玉东 王本忠 张玉贤 刘式墉 刘悦 
国家自然科学基金
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制...
关键词：复合材料 金属半导体 场效应 晶体管 外延生长 
InGaAsP及其量子阱结构的LP－MOCVD
《半导体光电》1994年第2期159-162,174,共5页胡朝晖 胡礼中 李玉东 
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８...
关键词：化学汽相定积 多量子阱 光致发光 INGAASP 
1．55μm　InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长
《光子学报》1994年第3期273-277,共5页祝进田 李玉东 胡礼中 陈松岩 胡朝辉 刘式墉 
本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９...
关键词：应变 量子阱 激光器 化学汽相沉积 
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